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KAIST、水に10秒以内に溶ける保安用メモリー素子を開発

水に溶ける紙せっけんの上に印刷


大徳所在のKAIST(カン・ソンモ総長)は電気および電子工学部のチェ・ヤンギュ教授研究チームが水に容易に溶ける紙せっけんの上にインクジェット印刷技法により情報を記録し、直ちに廃棄できる保安用非揮発性抵抗変化メモリー素子を開発したと12月22日に発表した。

これまでは記録された情報を安定的に長期間にわたって維持する能力が非揮発性メモリー素子の性能を知るための主要な指標だった。しかし最近モノのインターネット時代を迎え、いつでもどこでも情報を簡単に共有できるようになったことから情報の記録だけでなく流出を源泉的に遮断できる保安用半導体の開発が要求されている。

こうした中、溶解が可能なメモリー素子、紙の基板を利用して焼却できる保安用素子などが開発されたが、これらは廃棄に時間がかかり焼却する技術は点火装置に高熱が必要になるという限界があった。

研究チームは問題解決のために、水に非常に速く反応して溶けるSSG基板の上にメモリー素子を製造、溶解時間を数秒以内に短縮することに成功した。今回開発されたメモリー素子はアルカリの金属元素であるナトリウムとグリセリンを主成分とし親水性基を持ち小量の水に反応して分解される。

しかし溶解が可能な電子素子は熱と水分に弱い場合があり製造工程の条件が非常に重要となる。研究チームはこの過程をインクジェット印刷技法により最適化された粘性と熱処理条件で金属電極を常温および常圧で蒸着した。こうして平常時の湿度でも安定的に小量の水にも反応する素子を製造した。

研究成果は『Scientific Reports』電子版に12月6日付で掲載された。






[2016-12-26]

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